BU5027AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU5027AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BU5027AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU5027AF даташит

 ..1. Size:115K  jdsemi
 bu5027af.pdf pdf_icon

BU5027AF

R BU5027AF www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 H

 7.1. Size:114K  jdsemi
 bu5027a.pdf pdf_icon

BU5027AF

R BU5027A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 Hi

 8.1. Size:110K  jdsemi
 bu5027s.pdf pdf_icon

BU5027AF

R BU5027S www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 Hi

Другие транзисторы: BU203DL, BU206DL, BU3150AF, BU3150BF, BU3150F, BU3150F-A, BU3150T, BU5027A, BD333, BU5027S, BU6084B, BU6084BF, BU8403, D667, D880, D882P, D882PC