BU5027AF Todos los transistores

 

BU5027AF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU5027AF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

BU5027AF Datasheet (PDF)

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RBU5027AF www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Computer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 H

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History: PN2222-H | BSX63-10 | 2SC4051

 

 
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