Справочник транзисторов. D667

 

Биполярный транзистор D667 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: D667
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для D667

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D667 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  jdsemi
d667.pdfpdf_icon

D667

RD667 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerEmergency lamp and Electric toy control circuit 222FEATURES 2

 0.1. Size:117K  fairchild semi
fdd6676s.pdfpdf_icon

D667

December 2002 FDD6676S 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features The FDS6676S is designed to replace a DPAK 78 A, 30 V RDS(ON) = 6.0 m @ VGS = 10 V MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 7.1 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low Low gate charge

 0.2. Size:91K  fairchild semi
fdd6670s.pdfpdf_icon

D667

September 2001 FDD6670S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features The FDD6670S is designed to replace a single 64 A, 30 V RDS(ON) = 9 m @ VGS = 10 V MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 12.5 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low Includes S

 0.3. Size:147K  fairchild semi
fdd6670al.pdfpdf_icon

D667

May 2004 FDD6670AL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 84 A, 30 V. RDS(ON) = 5 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 6 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for Low gate c

Другие транзисторы... BU3150F-A , BU3150T , BU5027A , BU5027AF , BU5027S , BU6084B , BU6084BF , BU8403 , C945 , D880 , D882P , D882PC , DBU103T , DK52 , DK52A , DK52D , DK53AD .

History: MMBT3567 | 2SC105

 

 
Back to Top

 


 
.