Биполярный транзистор D882PC - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D882PC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO252 TO251
D882PC Datasheet (PDF)
d882pc.pdf
RD882PC www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerEmergency lamp and Electric toy control circuit 222FEATURES 2
d882pc 2.pdf
RD882PC www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerEmergency lamp and Electric toy control circuit 2222FEATURES 2
d882p.pdf
RD882P www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerEmergency lamp and Electric toy control circuit 222FEATURES 2
d882r d882q d882p d882e.pdf
D882AO3400SI2305D882NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector to Base Voltage VCBO 40 VCollector to Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter to Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 3 APeak Collector Current (t = 10
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
