DBU103T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DBU103T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DBU103T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DBU103T даташит

 ..1. Size:110K  jdsemi
 dbu103t.pdf pdf_icon

DBU103T

R DBU103T www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

Другие транзисторы: BU5027S, BU6084B, BU6084BF, BU8403, D667, D880, D882P, D882PC, TIP41C, DK52, DK52A, DK52D, DK53AD, DK53ADL, DK53D, DK53DL, DK53H