DK52D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DK52D. Основные параметры


   Наименование производителя: DK52D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для DK52D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK52D даташит

 ..1. Size:114K  jdsemi
 dk52d.pdf pdf_icon

DK52D

R DK52D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 FE

Другие транзисторы... BU8403 , D667 , D880 , D882P , D882PC , DBU103T , DK52 , DK52A , 2N5401 , DK53AD , DK53ADL , DK53D , DK53DL , DK53H , DK53TD , DK54DL , DK55A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.