DK53ADL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK53ADL  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DK53ADL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK53ADL даташит

 ..1. Size:115K  jdsemi
 dk53adl.pdf pdf_icon

DK53ADL

R DK53ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballast etc 2 2 2

 8.1. Size:115K  jdsemi
 dk53ad.pdf pdf_icon

DK53ADL

R DK53AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 F

Другие транзисторы: D880, D882P, D882PC, DBU103T, DK52, DK52A, DK52D, DK53AD, BC548, DK53D, DK53DL, DK53H, DK53TD, DK54DL, DK55A, DK55ED, DK55SD