Справочник транзисторов. DK53TD

 

Биполярный транзистор DK53TD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: DK53TD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO252 TO251

 Аналоги (замена) для DK53TD

 

 

DK53TD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  jdsemi
dk53td 2.pdf

DK53TD
DK53TD

RDK53TD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222F

 ..2. Size:115K  jdsemi
dk53td.pdf

DK53TD
DK53TD

RDK53TD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222F

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top