Биполярный транзистор DK53TD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DK53TD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO252 TO251
DK53TD Datasheet (PDF)
dk53td 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RDK53TD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222F
dk53td.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
RDK53TD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222F
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .