DK53TD - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DK53TD. Основные параметры


   Наименование производителя: DK53TD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO252 TO251

 Аналоги (замена) для DK53TD

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK53TD даташит

 ..1. Size:115K  jdsemi
 dk53td 2.pdf pdf_icon

DK53TD

R DK53TD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 F

 ..2. Size:115K  jdsemi
 dk53td.pdf pdf_icon

DK53TD

R DK53TD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 F

Другие транзисторы... DK52 , DK52A , DK52D , DK53AD , DK53ADL , DK53D , DK53DL , DK53H , S8050 , DK54DL , DK55A , DK55ED , DK55SD , E13005SDL , H13003 , H13003AD , H13003ADL .

History: 2N5401YBU | MJE13005VT7 | 3DD13005N8D | DK53AD | 13005D

 

 

 


 
↑ Back to Top
.