H13003H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H13003H  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126D TO251 TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H13003H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H13003H даташит

 ..1. Size:111K  jdsemi
 h13003h.pdf pdf_icon

H13003H

R H13003H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES

 ..2. Size:575K  cn haohai electr
 h13003h.pdf pdf_icon

H13003H

H13003H High Voltage Switching Transister 2A, 850V MJE13003U H13003HU TO-251 80Pcs/ 4Kpcs 24Kpcs 13003 MJE13003D H13003HD TO-252 2.5K/ 5Kpcs 25Kpcs H13003H Series H13003H Series Pin Assignment NPN EPITAX

 8.1. Size:23K  samsung
 ksh13003.pdf pdf_icon

H13003H

KSH13003 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR D-PAK D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS High speed Switching Suitable for Switching Regulator Motor Control Straight Lead(I.PACK, I Suffix) 1 Lead Formed for Surface Mount Applications(No Suffix) 1. Base 2. Collector 3. Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit I-PAK

 8.2. Size:116K  jdsemi
 h13003ad 2.pdf pdf_icon

H13003H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DK55SD, E13005SDL, H13003, H13003AD, H13003ADL, H13003AH, H13003D, H13003DL, 13003, H13005, H13005ADL, H13005D, H13005DL, H6084B, J13003, P13003, P13003D