Биполярный транзистор 3DD13003_M8D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD13003_M8D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220AB
Аналоги (замена) для 3DD13003_M8D
3DD13003_M8D Datasheet (PDF)
3dd13003 m8d.pdf
NPN R 3DD13003 M8D 3DD13003 M8D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot W TC=25 60
3dd13003 m6d.pdf
NPN R 3DD13003 M6D 3DD13003 M6D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot TC=25 50 W
3dd13003 to-220-3l.pdf
3DD13003(NPN) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 V Dimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuou
3dd13003 to-126.pdf
3DD13003(NPN) TO-126 TransistorTO-1261.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 3 2 1Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2.5007.4002.9001.1007.800Symbol Parameter Value Units1.500VCBO Collector-Base Voltage 700 V 3.9003.0004.100VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 3.20010.6000.000VEBO Emitter-Base V
3dd13003 j6d.pdf
NPN R 3DD13003 J6D 3DD13003 J6D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot W TC=25 50
3dd13003 h8d.pdf
NPN R 3DD13003 H8D 3DD13003 H8D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 60 W
3dd13003 h1d.pdf
NPN R 3DD13003 H1D 3DD13003 H1D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13003 vud.pdf
NPN R 3DD13003 VUD 3DD13003 VUD VCEO 200 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.5 W
3dd13003 k8.pdf
NPN R 3DD13003 K8 3DD13003 K8 NPN VCEO 400 V IC 1.8 A Ptot TC=25 60 W
3dd13003 x1.pdf
NPN R 3DD13003 X1 3DD13003 X1 NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot W TC=25 50
3dd13003 e6d.pdf
NPN R 3DD13003 E6D 3DD13003 E6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W
3dd13003 sud.pdf
NPN R 3DD13003 SUD 3DD13003 SUD VCEO 200 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.5 W
3dd13003 w3d.pdf
NPN R 3DD13003 W3D 3DD13003 W3D VCEO 200 V NPN IC 2 A Ptot TC=25 35 W
3dd13003 j7d.pdf
NPN R 3DD13003 J7D 3DD13003 J7D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot TC=25 50 W
3dd13003 s1d.pdf
NPN R 3DD13003 S1D 3DD13003 S1D VCEO 200 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13003 k6.pdf
NPN R 3DD13003 K6 3DD13003 K6 NPN VCEO 400 V IC 1.8 A Ptot TC=25 50 W
3dd13003 u6d.pdf
NPN R 3DD13003 U6D 3DD13003 U6D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 35 W
3dd13003 f6d.pdf
NPN R 3DD13003 F6D 3DD13003 F6D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
3dd13003 h6d.pdf
NPN R 3DD13003 H6D 3DD13003 H6D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 50 W
3dd13003 d.pdf
NPN R 3DD13003 D 3DD13003 D NPN VCEO 400 V IC 2.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd13003 u1d.pdf
NPN R 3DD13003 U1D 3DD13003 U1D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13003 f3d.pdf
NPN R 3DD13003 F3D 3DD13003 F3D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W
3dd13003 w6d.pdf
NPN R 3DD13003 W6D 3DD13003 W6D VCEO 200 V NPN IC 2 A Ptot TC=25 40 W
3dd13003 v1d.pdf
NPN R 3DD13003 V1D 3DD13003 V1D VCEO 200 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13003 f1d.pdf
NPN R 3DD13003 F1D 3DD13003 F1D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13003 u3d.pdf
NPN R 3DD13003 U3D 3DD13003 U3D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 30 W
3dd13003 j8d.pdf
NPN R 3DD13003 J8D 3DD13003 J8D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot W TC=25 60
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050