Биполярный транзистор 3DD3015_A1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD3015_A1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 3DD3015_A1
3DD3015_A1 Datasheet (PDF)
3dd3015 a1.pdf
NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd3015 a3.pdf
NPN R 3DD3015 A3 3DD3015 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Tc=25 25 W
3dd3015a1.pdf
NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd3015a3.pdf
NPN R 3DD3015 A3 3DD3015 A3 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Tc=25 25 W
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , B772 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .