3DD3015_A1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD3015_A1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD3015_A1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3015_A1 даташит

 ..1. Size:178K  crhj
 3dd3015 a1.pdf pdf_icon

3DD3015_A1

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

 5.1. Size:146K  crhj
 3dd3015 a3.pdf pdf_icon

3DD3015_A1

 7.1. Size:178K  crhj
 3dd3015a1.pdf pdf_icon

3DD3015_A1

NPN R 3DD3015 A1 3DD3015 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.2 A Ptot Ta=25 0.8 W

 7.2. Size:146K  crhj
 3dd3015a3.pdf pdf_icon

3DD3015_A1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13007_Z8, 3DD13007_B8D, 3DD13009_A8, 3DD13009_AN, 3DD13009_C8, 3DD13009_X8D, 3DD13012_A8, 3DD13012_AN, TIP42C, 3DD3015_A3, 3DD3020_A3, 3DD3020_A6, 3DD3040_A1, 3DD3040_A3, 3DD3040_A6, 3DD3040_A7, 3DD3145_A6