3DD4515_A6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4515_A6  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD4515_A6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4515_A6 даташит

 ..1. Size:150K  crhj
 3dd4515 a6.pdf pdf_icon

3DD4515_A6

NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

 5.1. Size:177K  crhj
 3dd4515 a1.pdf pdf_icon

3DD4515_A6

 7.1. Size:647K  jilin sino
 3dd4515.pdf pdf_icon

3DD4515_A6

 7.2. Size:171K  crhj
 3dd4515a23.pdf pdf_icon

3DD4515_A6

R NPN 3DD4515 A23 3DD4515 A23 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD3150_A8, 3DD3320_AN, 3DD4013_A1D, 3DD4013_A6D, 3DD4013_B1D, 3DD4513_A1D, 3DD4513_A6D, 3DD4515_A1, A940, 3DD4518_A1D, 3DD4518_A3D, 3DD4518_A6D, 3DD4520_A3, 3DD4520_A4, 3DD4520_A6, 3DD4530_A1-H, 3DD4540_A3