3DD4550_A4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD4550_A4  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 18 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 48

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD4550_A4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4550_A4 даташит

 ..1. Size:159K  crhj
3dd4550 a4.pdfpdf_icon

3DD4550_A4

 7.1. Size:159K  crhj
3dd4550a4.pdfpdf_icon

3DD4550_A4

 9.1. Size:647K  jilin sino
3dd4515.pdfpdf_icon

3DD4550_A4

 9.2. Size:177K  crhj
3dd4515 a1.pdfpdf_icon

3DD4550_A4

Другие транзисторы: 3DD4518_A6D, 3DD4520_A3, 3DD4520_A4, 3DD4520_A6, 3DD4530_A1-H, 3DD4540_A3, 3DD4540_A7, 3DD4540_A9, 2SD2499, 3DD6012_A6, 3DD6012_A1, 3DD741_A8, 3DG2482H_A1, 3DG2482S, 3DG3001_A1-H, 3DG40005AS-H, 3DG44