Биполярный транзистор 3DD4550_A4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD4550_A4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 18 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 48
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для 3DD4550_A4
3DD4550_A4 Datasheet (PDF)
3dd4550 a4.pdf
NPN R 3DD4550 A4 3DD4550 A4 NPN VCEO 450 V IC 5 A Ptot W TC=25 40
3dd4515.pdf
NPN WSRs_sQvfSO{HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORR3DD4515 ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package IC 15AVCEO 400VPC(TO-3PN(B)) 120W(u APPLICATIONS op Energy-saving
3dd4515 a1.pdf
NPN R 3DD4515 A1 3DD4515 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4520 a6.pdf
NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W
3dd4513a1d.pdf
NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4530 a1-h.pdf
NPN R 3DD4530 A1-H 3DD4530 A1-H NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4515a23.pdf
R NPN 3DD4515 A23 3DD4515 A23 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4515a1.pdf
NPN R 3DD4515 A1 3DD4515 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4518 a6d.pdf
NPN R 3DD4518 A6D ` 3DD4518 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 50 W
3dd4515 a6.pdf
NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
3dd4520a4.pdf
NPN R 3DD4520 A4 3DD4520 A4 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
3dd4540a7.pdf
NPN R 3DD4540 A7 3DD4540 A7 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W
3dd4540a9.pdf
NPN R 3DD4540 A9 3DD4540 A9 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd4540 a7.pdf
NPN R 3DD4540 A7 3DD4540 A7 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W
3dd4518a1d.pdf
NPN R 3DD4518 A1D 3DD4518 A1D-H VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4513 a1d.pdf
NPN R 3DD4513 A1D 3DD4513 A1D NPN VCEO 450 V IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4540 a3.pdf
NPN R 3DD4540 A3 3DD4540 A3 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 40 W
3dd4520a6.pdf
NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W
3dd4515a6.pdf
NPN R 3DD4515 A6 3DD4515 A6 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
3dd4518a6d.pdf
NPN R 3DD4518 A6D ` 3DD4518 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 50 W
3dd4518a3d.pdf
NPN R 3DD4518 A3D 3DD4518 A3D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 35 W
3dd4513a6d.pdf
NPN R 3DD4513 A6D ` 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W
3dd4520 a3.pdf
NPN R 3DD4520 A3 3DD4520 A3 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
3dd4513 a6d.pdf
NPN R 3DD4513 A6D ` 3DD4513 A6D VCEO 450 V NPN IC 1.3 A Ptot TC=25 40 W
3dd4520 a4.pdf
NPN R 3DD4520 A4 3DD4520 A4 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
3dd4518 a3d.pdf
NPN R 3DD4518 A3D 3DD4518 A3D VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 35 W
3dd4518 a1d.pdf
NPN R 3DD4518 A1D 3DD4518 A1D-H VCEO 450 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd4520a3.pdf
NPN R 3DD4520 A3 3DD4520 A3 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 35 W
3dd4540 a9.pdf
NPN R 3DD4540 A9 3DD4540 A9 NPN VCEO 450 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd4515.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD4515DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I =10ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier,high speed switching andregulated power supply applications.ABS
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
