Биполярный транзистор 3DD6012_A6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD6012_A6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 530 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для 3DD6012_A6
3DD6012_A6 Datasheet (PDF)
3dd6012 a6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD6012 A6 3DD6012 A6 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot W TC=25 50
3dd6012 a1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD6012 A1 3DD6012 A1 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd6012a6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NPN R 3DD6012 A6 3DD6012 A6 NPN VCEO 530 V IC 1.5 A Ptot W TC=25 50
3dd60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
3DD59/3DD60 NPN A B C D E F PCM TC=75 25 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 4 /W IC=0.5A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .