BFP740 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP740  📄📄 

Маркировка: R7s

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.08 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT343

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFP740

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP740 даташит

 ..1. Size:658K  infineon
 bfp740.pdf pdf_icon

BFP740

BFP740 SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP740 is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT). Feature list Low noise figure NFmin = 0.85 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High gain Gms = 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA OIP3 = 24.5 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Product validation Qualified for industrial applications according to the relevant tests

 ..2. Size:1761K  kexin
 bfp740.pdf pdf_icon

BFP740

SMD Type Transistors NPN Transistors BFP740 (KFP740) Uint mm SOT-343 0.9 0.1 0.2 2 Features 0.1 MAX. 1.3 0.1 High gain ultra low noise RF transistor A 4 3 High maximum stable gain Gold metallization for extra high reliability 0.15 150 GHz fT-Silicon Germanium technology 1 2 +0.1 +0.1 Outstanding noise figure F = 0.5 dB at 1.8 GHz 0.3 0.15

 0.1. Size:1510K  infineon
 bfp740f.pdf pdf_icon

BFP740

BFP740F Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor Data Sheet Revision 2.0, 2015-03-12 RF & Protection Devices Edition 2015-03-12 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany 2015 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristi

 0.2. Size:627K  infineon
 bfp740fesd.pdf pdf_icon

BFP740

BFP740FESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP740FESD is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 21 dBm maximum RF input power, 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits NFmin = 0.6 dB at 2.4 GHz and 0.8 dB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTB123E, DTB123YCA, DTB123YKA, DTC113ZM, DTC123YM, DTC643TK, DTD123YUA, BFG67R, MPSA42, FC4227, 2SA1413-Z, 2SA1871, 2SC3632-Z, 2SC4505, 2SC4976, 3DD13002, 3DD13002A