BC808A - описание и поиск аналогов

 

BC808A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC808A

Маркировка: 5E_5F_5G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BC808A

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC808A даташит

 ..1. Size:495K  kexin
bc808a.pdfpdf_icon

BC808A

SMD Type Transistors PNP Transistors BC808A (KC808A) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 For general AF applications. High collector current. High current gain. 1 2 +0.1 +0.05 Low collector-emitter saturation voltage. 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9-0.1 Complementary NPN type available(BC818A) 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta

 9.1. Size:72K  fairchild semi
bc807 bc808.pdfpdf_icon

BC808A

BC807/BC808 Switching and Amplifier Applications Suitable for AF-Driver stages and low power output stages 3 Complement to BC817/BC818 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage BC807 -50 V BC808 -30 V VCEO Collector-

 9.2. Size:73K  samsung
bc807 bc808.pdfpdf_icon

BC808A

BC807/BC808 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS SOT-23 Sutable for AF-Driver stages and low power output stages Complement to BC817/BC818 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector Emitter Voltage BC807 VCES -50 V BC808 -30 V Collector Emitter Voltage BC807 VCEO -45 V BC808 -25 V Emitter-Base Voltage

 9.3. Size:49K  diodes
bc807 bc808.pdfpdf_icon

BC808A

SOT23 PNP SILICON PLANAR BC807 MEDIUM POWER TRANSISTORS BC808 ISSUE 4 JUNE 1996 T I D T I 8 D 8 8 E 8 8 8 C 8 8 8 8 8 8 B T T 8 8 8 8 8 8 SOT23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T 8 8 8 IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DIT

Другие транзисторы... 2SC4983 , 2SC5053 , 2SC5310 , 2SC5344SF , 2SD1742A , 2SD2167 , 2SD2402 , 2SD882A , 2SD1047 , BC818A , BC849W , BC850W , BC856BS , BC857CDW , BC857T , BC858CDW , BC859W .

History: BC850W

 

 

 


 
↑ Back to Top
.