Биполярный транзистор 2N6552 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N6552
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам