Биполярный транзистор KST8050S
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST8050S
Маркировка: J3Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
SOT23
Аналоги (замена) для KST8050S
KST8050S
Datasheet (PDF)
..1. Size:970K kexin
kst8050s.pdf 
SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST8050SSOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13FeaturesCollector Current: IC=0.5A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter-Base Voltage VEBO 5
7.1. Size:1155K kexin
kst8050d-50.pdf 
SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST8050D-50SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13Features Collector Current Capability IC=1.2A Collector Emitter Voltage VCEO=50V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollec
7.2. Size:1008K kexin
kst8050.pdf 
SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST8050SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13FeaturesCollector Current: IC=1.5A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter-Base Voltage VEBO 5 V
7.3. Size:810K kexin
kst8050m.pdf 
SMD TypeSMD Type TransistorsNPN TransistorsKST8050MSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current: IC=0.8A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter-Bas
7.4. Size:594K kexin
kst8050x.pdf 
SMD Type TransistorsNPN TransistorsKST8050XSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Power Dissipation: PC=0.3W Collector Current: IC=1.5A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitte
7.5. Size:1185K kexin
kst8050d.pdf 
SMD Type TransistorsSMD TypeNPN Transistors KST8050DSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesCollector Current: IC=1.5A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 40 VCollector-Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter-Base Voltage VEB
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
