Справочник транзисторов. NSS1C200LT1G

 

Биполярный транзистор NSS1C200LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS1C200LT1G
   Маркировка: VL*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.49 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSS1C200LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS1C200LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  kexin
 nss1c200lt1g.pdf pdf_icon

NSS1C200LT1G

SMD Type TransistorsPNP TransistorsNSS1C200LT1G (KSS1C200LT1G)SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-100V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01COLLECTOR1.9+0.1-0.11.BaseBASE2.Emitter3.collectorEMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating U

 3.1. Size:124K  onsemi
 nss1c200lt1.pdf pdf_icon

NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G100 V, 3.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is import

 5.1. Size:129K  onsemi
 nss1c200l nsv1c200l.pdf pdf_icon

NSS1C200LT1G

NSS1C200L, NSV1C200L100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is i

 6.1. Size:198K  onsemi
 nss1c200mz4 nsv1c200mz4.pdf pdf_icon

NSS1C200LT1G

PNP Transistor, Low VCE(sat)100 V, 2.0 ANSS1C200MZ4,NSV1C200MZ4ON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowwww.onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications-100 VOLTS, 2.0 AMPSwhere affordable ef

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KXA1504 , KXC1502 , KXC1504 , MMBT3904-D , MMBT3904DW , MMBT3906-D , MMBT3906DW , MMBT5087 , D667 , SBT5853PT1G , SBT5853PT2G , ZX5T150 , ZX5T250 , ZXTP2013 , SD1441 , SD1477 , SD1538-8 .

 

 
Back to Top

 


 
.