SD1441. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD1441

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 430 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: 500-6L-FLG

 Аналоги (замена) для SD1441

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD1441 даташит

 ..1. Size:26K  advanced-semi
 sd1441.pdf pdf_icon

SD1441

SD1441 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The ASI SD1441 is a12.5 V epitaxial silicon NPN plannar transistor. Designed primarily for VHF communication in the 175 MHz frequency. PACKAGE STYLE .500 6L FLG C A 1 3 FEATURES 2x N FULL R 175 MHz 12.5 V D PG = 5.0 dB at 150 W/175 MHz 4 2 Omnigold Metalization System B E .725/18,42 Common

 0.1. Size:102K  panasonic
 2sd1441.pdf pdf_icon

SD1441

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 0.2. Size:75K  jmnic
 2sd1441.pdf pdf_icon

SD1441

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD1441 DESCRIPTION With TO-3PN package Built-in damper diode High voltage ,high reliability High speed switching Wide area of safe operation APPLICATIONS For horizontal deflection output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Fig.1

 0.3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sd1441.pdf pdf_icon

SD1441

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1441 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT3906DW, MMBT5087, NSS1C200LT1G, SBT5853PT1G, SBT5853PT2G, ZX5T150, ZX5T250, ZXTP2013, S9018, SD1477, SD1538-8, TP9380, TPV375, 2N2221AUA, 2N2221AUB, 2N22221AL, 2N2222AL