TPV375 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPV375  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 225 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 500-4L-STUD

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPV375

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPV375 даташит

 ..1. Size:26K  advanced-semi
 tpv375.pdf pdf_icon

TPV375

TPV375 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The TPV375 is a Common Emitter PACKAGE STYLE .500 4L STUD Device Designed for Class A Television Band III Applications. FEATURES INCLUDE Gold Metalization Emitter Ballasting MAXIMUM RATINGS IC 8 A VCB 65 V PDISS 140 W @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +200 OC 1 = COLLECTOR 2 & 4 = EMITTER TSTG -65 OC to +150 OC 3 = BASE 1.5

Другие транзисторы: SBT5853PT2G, ZX5T150, ZX5T250, ZXTP2013, SD1441, SD1477, SD1538-8, TP9380, BD136, 2N2221AUA, 2N2221AUB, 2N22221AL, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N3418S, 2N3419S, 2N3420S