Биполярный транзистор WT5650 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: WT5650
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 150 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
   Корпус транзистора: DISK55
     - подбор биполярного транзистора по параметрам