13003E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 13003E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 13003E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

13003E даташит

 0.1. Size:629K  diodes
apt13003eu.pdfpdf_icon

13003E

PART OBSOLETE NO ALTERNATE PART APT13003EU Green 465V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR Features Mechanical Data BVCEO > 465V Case TO126 BVCES > 700V Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound; BVEBO > 9V UL Flammability Classification Rating 94V-0 IC = 1.5A high Continuous Collector Current Terminals Matte Tin Finish; Solderable per M

 0.2. Size:312K  diodes
dxt13003ek.pdfpdf_icon

13003E

DXT13003EK 460V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR IN TO252 Features Mechanical Data BVCEO > 460V Case TO252 (DPAK) BVCES > 700V Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound BVEBO > 9V UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 IC = 1.5A high Continuous Collector Current Terminals Finish - Ma

 0.3. Size:140K  utc
13003eda.pdfpdf_icon

13003E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003EDA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13003EDA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC s advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 1

 0.4. Size:83K  hsmc
hmje13003e.pdfpdf_icon

13003E

Spec. No. HE200502 HI-SINCERITY Issued Date 2005.10.01 Revised Date 2009.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMJE13003E NPN Epitaxial Planar Transistor Description High Voltage, High Speed Power Switch Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls TO-220 Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (

Другие транзисторы: WT5611, WT5650, WT5651, WT5652, 13003, 13003A, 13003C, 13003D, 2SD1047, 13003F, 1165905, 3CA3505, 3CA2505, 3CA4505, 3CA5322, 3CA5323, 3CA5679