Справочник транзисторов. 3CA1011

 

Биполярный транзистор 3CA1011 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CA1011
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 3CA1011

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CA1011 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  lzg
 2sa1011 3ca1011.pdf pdf_icon

3CA1011

2SA1011(3CA1011) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :100W Purpose: High voltage switching, AF power amplifier, 100W output predriver applications. : 2SC2344(3DA2344) Features: complementary pair with 2SC2344(3DA2344). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:226K  lzg
 2sa1012 3ca1012.pdf pdf_icon

3CA1011

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:109K  china
 3ca1072.pdf pdf_icon

3CA1011

3CA1072 PNP PCM Ta=25 120 W IC 12 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.05m 120 V A V(BR)CEO ICE=1mA 120 V V(BR)EBO IEB=0.05mA 7 V ICBO VCB=120V 50 A IEBO VEB=7V 50 A ICEO VEB=120V 1.0 A IC=7.5A VCEsat 1.8 IB=1.5A V

Другие транзисторы... 3CA5679 , 3CA5680 , 3CA5781 , 3CA5782 , 3CA5783 , ALJ13002 , ALJ13003 , 3CA034 , S8050 , 3CA1012 , 3CA1072 , 3CA1129 , 3CA117 , 3CA1184 , 3CA1185 , 3CA1203 , 3CA1204 .

History: CIL611 | OC74 | 2SC2036 | SF115B | CD066 | BUF672 | NB221FH

 

 
Back to Top

 


 
.