2N6561 - описание и поиск аналогов

 

2N6561. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6561

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N6561

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6561 даташит

 ..1. Size:12K  semelab
2n6561.pdfpdf_icon

2N6561

2N6561 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 300V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 ..2. Size:217K  inchange semiconductor
2n6561.pdfpdf_icon

2N6561

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6561 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =300V(Min) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device Performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage 300 V CBO V Collector-Emitter Voltage 30

 9.2. Size:144K  mospec
2n6569.pdfpdf_icon

2N6561

A A A

Другие транзисторы: 2N6554, 2N6555, 2N6556, 2N6557, 2N6558, 2N6559, 2N656, 2N6560, TIP127, 2N6562, 2N6563, 2N6566, 2N6567, 2N6569, 2N656A, 2N656S, 2N657

 

 

 

 

↑ Back to Top
.