Справочник транзисторов. 2N6562

 

Биполярный транзистор 2N6562 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6562
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N6562 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N6562

 9.2. Size:144K  mospec
 2n6569.pdf pdf_icon

2N6562

AAA

 9.3. Size:11K  semelab
 2n6560.pdf pdf_icon

2N6562

2N6560Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 450V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.4. Size:12K  semelab
 2n6561.pdf pdf_icon

2N6562

2N6561Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 300V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N6555 , 2N6556 , 2N6557 , 2N6558 , 2N6559 , 2N656 , 2N6560 , 2N6561 , A1013 , 2N6563 , 2N6566 , 2N6567 , 2N6569 , 2N656A , 2N656S , 2N657 , 2N6570 .

History: AC122GN | 2SA788 | 2SB674 | AC181V | 2N1890 | BC289B | DTB114ES

 

 
Back to Top

 


 
.