2N656S - описание и поиск аналогов

 

2N656S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N656S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N656S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N656S даташит

 9.1. Size:298K  rca
 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf pdf_icon

2N656S

 9.2. Size:144K  mospec
 2n6569.pdf pdf_icon

2N656S

A A A

 9.3. Size:11K  semelab
 2n6560.pdf pdf_icon

2N656S

2N6560 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 450V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.4. Size:12K  semelab
 2n6561.pdf pdf_icon

2N656S

2N6561 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 300V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6560, 2N6561, 2N6562, 2N6563, 2N6566, 2N6567, 2N6569, 2N656A, TIP42, 2N657, 2N6570, 2N6571, 2N6572, 2N6573, 2N6574, 2N6575, 2N6576

 

 

 

 

↑ Back to Top
.