SBU13003BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBU13003BD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для SBU13003BD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBU13003BD даташит

 ..1. Size:162K  winsemi
 sbu13003bd.pdf pdf_icon

SBU13003BD

SBU13003BD High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features symbol Very High Switching Speed 2.Collector High Voltage Capability 1.Base Wide Reverse Bias SOA 3.Emitter General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Rat

Другие транзисторы: 3CA313B, 3CA313C, 3CA313D, 3CA313E, 3CA350, 3CA3741, 3CA4A, 3CA4B, C945, SBW13009K, SBW13009O, SBW13009S, SBW3320, SBW3320W, STN0214, STN2580, STN826