STU13005N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU13005N

Маркировка: 13005N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для STU13005N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STU13005N даташит

 ..1. Size:269K  st
 stu13005n.pdf pdf_icon

STU13005N

STU13005N High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speed 3 Application 2 1 Switch mode power supplies (AC-DC converters) IPAK Description This device is manufactured using high voltage Figure 1. Internal schematic diagram multi epitaxial planar technology for high swit

 9.1. Size:984K  st
 stu13nm60n.pdf pdf_icon

STU13005N

STF13NM60N, STI13NM60N, STP13NM60N, STU13NM60N, STW13NM60N N-channel 600 V, 0.28 typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 STF13NM60N 1 I PAK TO-220FP STI13NM60N STP13NM60N 650 V

 9.2. Size:136K  st
 stu13nb60.pdf pdf_icon

STU13005N

STU13NB60 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STU13NB60 600 V

 9.3. Size:1256K  st
 stp13n60m2 stu13n60m2 stw13n60m2.pdf pdf_icon

STU13005N

STP13N60M2, STU13N60M2, STW13N60M2 N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 3 2 1 STP13N60M2 3 2 1 IPAK STU13N60M2 650 V 0.38 11 A TO-220 STW13N60M2 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous g

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: STN0214, STN2580, STN826, STN9360, STP5508, STR1550, STR2550, STT13005D, TIP3055, STW2040, STX117, STX13004, LB120A, ST13003DN, ST13003N, ST13009, ST26025A