STBV42D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STBV42D 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для STBV42D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
STBV42D даташит
stbv42d.pdf
STBV42D High voltage fast-switching NPN power transistor Preliminary data Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speed Integrated free-wheeling diode Application Compact fluorescent lamps (CFLs) TO-92 Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching Fi
stbv42d.pdf
STBV42D NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose High frequency electronic lighting ballast applications converters, inverters, switching regulators, etc. , , /Features High voltage capability, low spread of dynamic
stbv42.pdf
STBV42 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speed Applications Compact fluorescent lamps (CFLs) SMPS for battery charger TO-92 TO-92AP Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching Figure 1. Internal
stbv45.pdf
STBV45 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed Applications Compact fluorescent lamps (CFLs) TO-92 TO-92AP SMPS for battery charger Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is manufactured us
Другие транзисторы: ST13003DN, ST13003N, ST13009, ST26025A, ST2N2907, ST2N2907A, START499D, START499ETR, S9014, STBV45D, STC03DE170HP, STC03DE170HV, STC03DE220HP, STC03DE220HV, STC04IE170HP, STC04IE170HV, STF22907GW
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SB935 | MUN5237DW1T1G | XC703 | DMG90401 | 2SD382
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003





