3DA1360 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA1360  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA1360

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA1360 даташит

 0.1. Size:198K  lzg
 2sc1360-a 3da1360-a.pdf pdf_icon

3DA1360

2SC1360(3DA1360) 2SC1360A(3DA1360A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Picture IF amplifier . , Features High f , large P . T C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 2SC1360 50 V CBO V 2SC1360A 60 2SC1360

 9.1. Size:227K  lzg
 2sc1383 3da1383.pdf pdf_icon

3DA1360

2SC1383(3DA1383) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Audio frequency power amplifier and driver. , 2SA683(3CA683) /Features Low V ,complementary pair CE(sat) with 2SA683(3CA683). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30

 9.2. Size:193K  lzg
 2sc1384 3da1384.pdf pdf_icon

3DA1360

Другие транзисторы: RN1210, RN1211, RN2201, RN2202, RN2203, RN2204, RN2205, RN2206, 2SC828, 3DA1360A, 3DA1383, 3DA1384, 3DA14, 3DA27, 3DA28, 3DA142T, 3DA3788