Справочник транзисторов. 3DA1360A

 

Биполярный транзистор 3DA1360A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DA1360A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92L
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DA1360A Datasheet (PDF)

 7.1. Size:198K  lzg
 2sc1360-a 3da1360-a.pdf pdf_icon

3DA1360A

2SC1360(3DA1360) 2SC1360A(3DA1360A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Picture IF amplifier . :, Features: High f , large P . T C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SC1360 50 VCBO V 2SC1360A 60 2SC1360

 9.1. Size:227K  lzg
 2sc1383 3da1383.pdf pdf_icon

3DA1360A

2SC1383(3DA1383) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier and driver. :, 2SA683(3CA683)/Features: Low V ,complementary pair CE(sat)with 2SA683(3CA683). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30

 9.2. Size:193K  lzg
 2sc1384 3da1384.pdf pdf_icon

3DA1360A

2SC1384(3DA1384) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. :, 2SA684(3CA684) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SA684(3CA684). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: FT359

 

 
Back to Top

 


 
.