3DA3834 - описание и поиск аналогов

 

3DA3834. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DA3834

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 3DA3834

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA3834 даташит

 ..1. Size:165K  foshan
 2sc3834 3da3834.pdf pdf_icon

3DA3834

2SC3834(3DA3834) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR - Purpose Humidifier, DC-DC converter, and general purpose. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO 200 V V CEO 120 V V 8.0 V EBO I 7.0 A C I 3.0 A B P (Tc=25 ) 50

 0.1. Size:305K  foshan
 2sc3834f 3da3834f.pdf pdf_icon

3DA3834

2SC3834F(3DA3834F) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR - Purpose Humidifier, DC-DC converter, and general purpose. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO 200 V V CEO 120 V V 8.0 V EBO I 7.0 A C I 3.0 A B P (Tc=25 )

 9.1. Size:108K  china
 3da3866 2n3866.pdf pdf_icon

3DA3834

3DA3866(2N3866) NPN PCM Ta=25 5 W ICM 0.4 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO IC=0.1mA 55 V V(BR)CEO IC=5.0mA 30 V V(BR)EBO IE=0.1mA 3.5 V ICEO VCE=28V 20 A IC=100mA VCEsat 1 V IB=20mA VCE=5V hFE 25 IC=50m A VCE=15V

 9.2. Size:188K  foshan
 2sc3807 3da3807.pdf pdf_icon

3DA3834

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DA1384, 3DA14, 3DA27, 3DA28, 3DA142T, 3DA3788, 3DA3790, 3DA3807, BD333, 3DA3834F, 3DA3852R, 3DA2522, 3DA2611, 3DA2621, 3DA2654, 3DA2688, 3DA2983

 

 

 

 

↑ Back to Top
.