3DA30G - описание и поиск аналогов

 

3DA30G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DA30G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DA30G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA30G даташит

 9.1. Size:110K  no
 3da30a-g.pdf pdf_icon

3DA30G

3DA30 NPN A B C D E F G PCM Tc=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 300 250 300 V ICEO VCE=20V 1 mA IC=1.5A VCEsat 0.8 V IB=0.3A

 9.2. Size:213K  foshan
 2sc3063 3da3063.pdf pdf_icon

3DA30G

2SC3063(3DA3063) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Video output amplifier. , Features High V , low C . CEO ob /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 7.0 V EBO I 100 mA C I 200 mA

Другие транзисторы: 3DA2688, 3DA2983, 3DA30A, 3DA30B, 3DA30C, 3DA30D, 3DA30E, 3DA30F, TIP41, 3DA3063, 3DA5147, 3DA5192, 3DA5200A, 3DA5200B, 3DA5200C, 3DA5371, 3DA001A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.