Справочник транзисторов. 3DA100C

 

Биполярный транзистор 3DA100C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DA100C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DA100C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA100C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:134K  china
 3da100.pdf pdf_icon

3DA100C

3DA100 NPN A B C D E PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V

 9.1. Size:29K  shaanxi
 3da101 3da102.pdf pdf_icon

3DA100C

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA101, 3DA102 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog

 9.2. Size:31K  shaanxi
 3da76 3da10a 3da96.pdf pdf_icon

3DA100C

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA76, 3DA10A, 3DA96 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: QZJ840611. GJB33 A-97, QZJ840611A also for 3DA9

 9.3. Size:25K  shaanxi
 3da10.pdf pdf_icon

3DA100C

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA10NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DA10B , 3DA10C , 3DA10D , 3DA10E , 3DA10F , 3DA10G , 3DA100A , 3DA100B , BC558 , 3DA100D , 3DA100E , 3DA101 , 3DA102 , 3DA76 , 3DA122 , 3DA41 , 3DA41A .

 

 
Back to Top

 


 
.