3DA150G - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3DA150G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 3DA150G
3DA150G - технические параметры
3da150.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA150 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer
2sc1573-a 3da1573-a.pdf
2SC1573(3DA1573) 2SC1573A(3DA1573A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose General amplifier and video frequency output in small screen TV. ,f , 2SA879(3CA879) T Features High V , high f ; Complementary pair with 2SA879(3CA879). CEO T /Absolute maximum rati
Другие транзисторы... 3DA493TA , 3DA825 , 3DA150A , 3DA150B , 3DA150C , 3DA150D , 3DA150E , 3DA150F , TIP2955 , 3DA1573 , 3DA1573A , 3DA1846 , 3DA314 , 3DA3150 , 3DA3209 , 3DA325 , 3DA3279 .
History: 3DA150B
History: 3DA150B
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318



