3DA3150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA3150  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220 TO257

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA3150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA3150 даташит

 ..1. Size:128K  china
 3da3150 c3150.pdf pdf_icon

3DA3150

3DA3150(C3150) NPN PCM TC=25 50 W ICM 3.0 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB 1mA 900 V V(BR)CEO ICE 5mA 800 V V(BR)EBO IEB 1mA 7.0 V ICBO VCE=800V 10 A IEBO VEB=5V 10 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB=0.3A VCEsat 2.0 VC

 9.1. Size:30K  china
 3da314.pdf pdf_icon

3DA3150

"3DA314" 3DA314 1 3DA314 NPN VHF

Другие транзисторы: 3DA150D, 3DA150E, 3DA150F, 3DA150G, 3DA1573, 3DA1573A, 3DA1846, 3DA314, BC639, 3DA3209, 3DA325, 3DA3279, 3DA3866, 3DA8A, 3DA8B, 3DA8C, 3DA8D