2N6584 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2N6584 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N6584
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N6584

 

2N6584 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  inchange semiconductor
 2n6584.pdf pdf_icon

2N6584

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6584 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) High Current Capability Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.5 V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, s

 9.1. Size:11K  semelab
 2n6583.pdf pdf_icon

2N6584

2N6583 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 400V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.2. Size:11K  semelab
 2n6581.pdf pdf_icon

2N6584

2N6581 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 450V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.3. Size:187K  inchange semiconductor
 2n6583.pdf pdf_icon

2N6584

isc Silicon NPN Power Transistor 2N6583 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Current Capability Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.5 V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N6579 , 2N657A , 2N657S , 2N658 , 2N6580 , 2N6581 , 2N6582 , 2N6583 , 2SA1015 , 2N6585 , 2N6586 , 2N6587 , 2N6588 , 2N6589 , 2N659 , 2N6590 , 2N6591 .

History: 2SB371M

 

 
Back to Top

 


 
.