3DA5109 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA5109  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 750 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA5109

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA5109 даташит

 ..1. Size:30K  china
 3da4002 3da5109.pdf pdf_icon

3DA5109

"3DA4002(3DA5109)" 3DA4002(3DA5109) 1 3DA4002(3DA5109) NPN

 9.1. Size:118K  china
 3da5192.pdf pdf_icon

3DA5109

3DA5192 NPN PCM TC=25 40 W ICM 4 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 V V(BR)CEO ICE=1mA 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5 V ICBO VCB=80V 0.1 mA ICEO VCE=80V 1 mA IEBO VBE=5V 1 mA IC=1.5A VCEsat 0.6 V IB=0.15A VCE=2V hFE

 9.2. Size:264K  foshan
 2sc5147 3da5147.pdf pdf_icon

3DA5109

2SC5147(3DA5147) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Ideal for Color TV chroma output and amplification of video signals. Features High breakdown voltage,low collector output capacitance,wide SOA. /Absolute maxim

Другие транзисторы: 3DA50A, 3DA50B, 3DA50C, 3DA50D, 3DA50E, 3DA50F, 3DA50G, 3DA5038, A1015, 3DA56, 3DA58A, 3DA58B, 3DA58C, 3DA58D, 3DA58E, 3DA608A, 3DA608B