3DA58D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA58D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA58D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA58D даташит

 9.1. Size:146K  china
 3da58.pdf pdf_icon

3DA58D

3DA58 NPN A B C D E PCM TC=25 50 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 3.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=5mA 300 400 600 800 1000 V V(BR)CEO ICE=5mA 200 300 300 400 500 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=100V 0.1 mA ICEO VCE=

Другие транзисторы: 3DA50F, 3DA50G, 3DA5038, 3DA5109, 3DA56, 3DA58A, 3DA58B, 3DA58C, BC557, 3DA58E, 3DA608A, 3DA608B, 3DA608C, 3DA608D, 3DA608E, 3DA608F, 3DA6718