Биполярный транзистор 3DA75C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DA75C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
3DA75C Datasheet (PDF)
3da752.pdf
3DA752(NPN) TO-251/TO-252-2L TransistorTO-2511.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER 1 2 3 Features Power dissipation MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsTO-252-2LVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Collector power dissipation
3da75.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA75NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
