Справочник транзисторов. 2N6676T3

 

Биполярный транзистор 2N6676T3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N6676T3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO257AA

 Аналоги (замена) для 2N6676T3

 

 

2N6676T3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:137K  mospec
2n6676-78.pdf

2N6676T3
2N6676T3

AAA

 8.2. Size:916K  no
2n6676-t1-t3 2n6678-t1-t3 2n6691 2n6693.pdf

2N6676T3
2N6676T3

The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this document shall be completed by 13 February 2014. MIL-PRF-19500/538G 13 December 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/538F 10 February 2011 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER, TYPES 2N6676, 2N6678, 2N6676T1, 2N6678T1, 2N6676T3, 2N6678T3, 2

 8.3. Size:70K  microsemi
2n6676 2n6678 2n6691 2n6693.pdf

2N6676T3
2N6676T3

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538 Devices Qualified Level JAN 2N6676 2N6678 2N6691 2N6693 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N6676 2N6678 Unit 2N6691 2N6693 Collector-Emitter Voltage 300 400 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCBO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VE

 8.4. Size:174K  aeroflex
2n6676 2n6678.pdf

2N6676T3
2N6676T3

NPN High Power Silicon Transistors2N6676 & 2N6678Features Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/538 TO-3 (TO-204AA) PackageMaximum RatingsRatings Symbol 2N6676 2N6678 UnitsCollector - Emitter Voltage VCEO 300 400 VdcCollector - Base Voltage VCBO 450 650 VdcCollector - Base Voltage VCBX 450 650 VdcEmitter - Base Voltage VEBO 8.0 VdcBase Current IB 5.

 8.5. Size:131K  inchange semiconductor
2n6676 2n6677 2n6678.pdf

2N6676T3
2N6676T3

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6676 2N6677 2N6678 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage capability Fast switching speeds Low saturation voltage APPLICATIONS Designed for high voltage switching applications such as : Off-line power supplies Converter circuits Pulse width modulated regulators PINNING (See F

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top