2N6678T3 - описание и поиск аналогов

 

2N6678T3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6678T3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO257AA

 Аналоги (замена) для 2N6678T3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6678T3 даташит

 8.1. Size:916K  no
2n6676-t1-t3 2n6678-t1-t3 2n6691 2n6693.pdfpdf_icon

2N6678T3

The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this document shall be completed by 13 February 2014. MIL-PRF-19500/538G 13 December 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/538F 10 February 2011 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER, TYPES 2N6676, 2N6678, 2N6676T1, 2N6678T1, 2N6676T3, 2N6678T3, 2

 8.2. Size:590K  semelab
2n6678m3a.pdfpdf_icon

2N6678T3

SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N6678M3A High Voltage, Fast Switching. Hermetic TO-254AA Isolated Metal Package. Ideally suited for PWM Regulators, Power Supplies and Converter Circuits Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 650V VCEX VBE = -1.5V Collector Emitt

 8.3. Size:70K  microsemi
2n6676 2n6678 2n6691 2n6693.pdfpdf_icon

2N6678T3

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538 Devices Qualified Level JAN 2N6676 2N6678 2N6691 2N6693 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N6676 2N6678 Unit 2N6691 2N6693 Collector-Emitter Voltage 300 400 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCBO Collector-Base Voltage 450 650 Vdc VCEX Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VE

 8.4. Size:174K  aeroflex
2n6676 2n6678.pdfpdf_icon

2N6678T3

NPN High Power Silicon Transistors 2N6676 & 2N6678 Features Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/538 TO-3 (TO-204AA) Package Maximum Ratings Ratings Symbol 2N6676 2N6678 Units Collector - Emitter Voltage VCEO 300 400 Vdc Collector - Base Voltage VCBO 450 650 Vdc Collector - Base Voltage VCBX 450 650 Vdc Emitter - Base Voltage VEBO 8.0 Vdc Base Current IB 5.

Другие транзисторы: 2N6987U, 2N869AX, 2N869AXCSM, 2N869AXDCSM, 2N6676T1, 2N6676T3, 2N6678M3A, 2N6678T1, BC556, 2STBN15D100, 2STD1360, 2STD2360, 2STF1525, 2STF2280, 2STL1525, 2STN2340, 2STW100

 

 

 

 

↑ Back to Top
.