Справочник транзисторов. 2STW100

 

Биполярный транзистор 2STW100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2STW100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для 2STW100

 

 

2STW100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  st
2stw100 2stw200.pdf

2STW100 2STW100

2STW1002STW200Complementary power Darlington transistorsPreliminary dataFeatures Complementary NPN - PNP transistors Monolithic Darlington configurationApplications Audio power amplifier DC-AC converter 321 Low voltage DC motor drive General purpose switching applicationsTO-247DescriptionFigure 1. Internal schematic diagramsThe devices are man

 ..2. Size:200K  inchange semiconductor
2stw100.pdf

2STW100 2STW100

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2STW100DESCRIPTIONWith TO-3PN packagingVery high DC current gainMonolithic darlington transistor with integratedantiparallel collector-emitter diodeComplement to Type 2STW200Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElectro

 9.1. Size:150K  st
2stw1693.pdf

2STW100 2STW100

2STW1693High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -80 V Complementary to 2STW4466 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oCApplications32 Audio power amplifier1TO-247DescriptionThe device is a PNP transistor manufactured in Figure 1. Internal schematic diagramlow voltage planar technology using

 9.2. Size:169K  st
2stw1695.pdf

2STW100 2STW100

2STW1695High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -140 V Complementary to 2STW4468 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oCApplications32 Audio power amplifier1TO-247DescriptionThe device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear Figure 1. Internal schema

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: KTC3072L

 

 
Back to Top