2STW100 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2STW100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300
Корпус транзистора: TO247
Аналоги (замена) для 2STW100
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2STW100 даташит
2stw100 2stw200.pdf
2STW100 2STW200 Complementary power Darlington transistors Preliminary data Features Complementary NPN - PNP transistors Monolithic Darlington configuration Applications Audio power amplifier DC-AC converter 3 2 1 Low voltage DC motor drive General purpose switching applications TO-247 Description Figure 1. Internal schematic diagrams The devices are man
2stw100.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2STW100 DESCRIPTION With TO-3PN packaging Very high DC current gain Monolithic darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode Complement to Type 2STW200 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS AC-DC motor control Electro
2stw1693.pdf
2STW1693 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = -80 V Complementary to 2STW4466 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC Applications 3 2 Audio power amplifier 1 TO-247 Description The device is a PNP transistor manufactured in Figure 1. Internal schematic diagram low voltage planar technology using
2stw1695.pdf
2STW1695 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = -140 V Complementary to 2STW4468 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC Applications 3 2 Audio power amplifier 1 TO-247 Description The device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear Figure 1. Internal schema
Другие транзисторы: 2N6678T3, 2STBN15D100, 2STD1360, 2STD2360, 2STF1525, 2STF2280, 2STL1525, 2STN2340, 2SC828, 2STW200, 2SD2474, 2SD2625V9, BR3DD2625V9P, 2SD2625X9, BR3DD2625X9P, 2SD2625Z9, BR3DD2625Z9P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872



