2SD667L-B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD667L-B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD667L-B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD667L-B даташит

 7.1. Size:284K  mcc
2sd667l.pdfpdf_icon

2SD667L-B

MCC TM Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth 2SD667L Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Low Frequency Power Amplifier NPN Complementary Pair with 2SB647/A Plastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisture Sensitivity Level 1 Transistor Lead Free Finish/Rohs Compl

 8.1. Size:557K  mcc
2sd667a-b-c-d 2sd667-b-c-d.pdfpdf_icon

2SD667L-B

2SD667(A)-B MCC Micro Commercial Components TM 2SD667(A)-C 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 2SD667(A)-D Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Capable of 0.9Watts of Power Dissipation. Capable of 0.9Watts of Power Dissipation. Pla

 8.2. Size:331K  utc
2sd667.pdfpdf_icon

2SD667L-B

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD667 NPN SILICON TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL DESCRIPTION The UTC 2SD667 is a NPN epitaxial silicon transistor, which can be used as a low frequency power amplifier. FEATURES * Low frequency power amplifier ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SD667L-x-AE3-R 2SD6

 8.3. Size:32K  hitachi
2sd667.pdfpdf_icon

2SD667L-B

2SD667, 2SD667A Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SB647/A Outline TO-92MOD 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SD667, 2SD667A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SD667 2SD667A Unit Collector to base voltage VCBO 120 120 V Collector to emitter voltage VCEO 80 100 V Emitter to base voltage VEBO 55V

Другие транзисторы: 2SD2908, 2SD467C, 2SD667A-B, 2SD667A-C, 2SD667A-D, 2SD667-B, 2SD667-C, 2SD667-D, 2N2222, 2SD667L-C, 2SD667L-D, 2SD669A-B, 2SD669A-C, 2SD669AL, 2SD669AM, 2SD669AM-A, 2SD669-B