2SC1815-GR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC1815-GR  📄📄 

Маркировка: C1815

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC1815-GR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC1815-GR даташит

 ..1. Size:272K  toshiba
 2sc1815-o 2sc1815-y 2sc1815-gr 2sc1815-bl.pdf pdf_icon

2SC1815-GR

 6.1. Size:213K  toshiba
 2sc1815-t.pdf pdf_icon

2SC1815-GR

 6.2. Size:368K  mcc
 2sc1815-bl-gr-o-y.pdf pdf_icon

2SC1815-GR

2SC1815-O MCC 2SC1815-Y Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components 2SC1815-GR CA 91311 Phone (818) 701-4933 2SC1815-BL Fax (818) 701-4939 Features 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF NPN Silicon Amplifier and General Purpose Applications. Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. Epitaxial

 6.3. Size:168K  microelectronics
 2sc1815-m.pdf pdf_icon

2SC1815-GR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD965-Q, 2SD992-Z, 2SC1740S-Q, 2SC1740S-R, 2SC1740S-S, 2SC1741S, 2SC1766GP, 2SC1815-BL, BD335, 2SC1815LT1, 2SC1815-O, 2SC1815-Y, 2SC1819M, 2SC1959-GR, 2SC1959-O, 2SC1959-Y, 2SC1623-L5