PMC4106 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMC4106  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PMC4106

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMC4106 даташит

 ..1. Size:210K  pmc components
pmc4106.pdfpdf_icon

PMC4106

PMC4106 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR designed for switching regulator applications. TO-220AB MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector to base voltage VCBO 500 V Collector to emitter voltage VCEO 400 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 7 A Collector current (peak) IC(peak) 14 A Base Current IB 3 A Collector

Другие транзисторы: 2SC1008-R, 2SC1008-Y, 2SC1074S, 2SC1074S-TO3, PMC3281, PMC3356, PMC3358, PMC3907, S9013, PXT8050-C, PXT8050-D, PXT8050-D3, PXT8550-B, PXT8550-C, PXT8550-D, PXT8550-D3, PXTA44