Биполярный транзистор PZT751T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PZT751T1G
Маркировка: ZT751
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для PZT751T1G
PZT751T1G Datasheet (PDF)
pzt751t1g.pdf
PZT751PNP Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.FeaturesSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT High CurrentNPN SILICON TRANSISTOR The SOT-223 Package can be soldered
pzt751t1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PZT751T1/DPZT751T1PNP Silicon PlanarMotorola Preferred DeviceEpitaxial TransistorThis PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumerSOT223 PACKAGEapplications. The device is housed in the SOT223 package which is designed forHIGH CURRENTmedium power surface mount applications.
pzt751t1.pdf
DATA SHEETwww.onsemi.comPNP Silicon Planar SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTNPN SILICON TRANSISTOREpitaxial TransistorSURFACE MOUNTPZT751T1This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in4industrial and consumer applications. The device is housed in the1SOT-223 package which is designed for medium power surface23mount applications.SOT-223CASE 318EFeature
pzt751.pdf
PZT751PNP Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.FeaturesSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT High CurrentNPN SILICON TRANSISTOR The SOT-223 Package can be soldered
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050