PZT751T1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PZT751T1G
Маркировка: ZT751
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для PZT751T1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PZT751T1G даташит
pzt751t1g.pdf
PZT751 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface www.onsemi.com mount applications. Features SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT High Current NPN SILICON TRANSISTOR The SOT-223 Package can be soldered
pzt751t1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by PZT751T1/D PZT751T1 PNP Silicon Planar Motorola Preferred Device Epitaxial Transistor This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer SOT 223 PACKAGE applications. The device is housed in the SOT 223 package which is designed for HIGH CURRENT medium power surface mount applications.
pzt751t1.pdf
DATA SHEET www.onsemi.com PNP Silicon Planar SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR Epitaxial Transistor SURFACE MOUNT PZT751T1 This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in 4 industrial and consumer applications. The device is housed in the 1 SOT-223 package which is designed for medium power surface 2 3 mount applications. SOT-223 CASE 318E Feature
pzt751.pdf
PZT751 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface www.onsemi.com mount applications. Features SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT High Current NPN SILICON TRANSISTOR The SOT-223 Package can be soldered
Другие транзисторы: PXT8550-B, PXT8550-C, PXT8550-D, PXT8550-D3, PXTA44, PZT2222, PZT3904T1G, PZT651T1G, BC549, PZTA28, PZTA42T1G, PZTA43, PZTA45, PZTA92T1G, PZTA93, PZTA96ST1G, QS5W1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364




