2N6617 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6617  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO128

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N6617

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6617 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N660, 2N6600, 2N6601, 2N6602, 2N6603, 2N6604, 2N6609, 2N661, BD139, 2N6618, 2N6619, 2N662, 2N6620, 2N6621, 2N6622, 2N663, 2N6648