Биполярный транзистор SPT5006-61 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: SPT5006-61
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 275 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO61
- подбор биполярного транзистора по параметрам
SPT5006-61 Datasheet (PDF)
spt5006 spt5008.pdf

SPT5006 and SPT5008 Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 10 AMPS DESIGNERS DATA SHEET 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ High Power - High Speed SPT5006 __ __ __ NPN Transistors SPT5008 __ __ __ Screening 2/ __ = Not
spt50n65f1a1t8tl.pdf

SPT50N65F1A1T8TL650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.65 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering
spt50n65f1at8tl.pdf

SPT50N65F1AT8TL650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.8 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :
spt50n65f1a1.pdf

SPT50N65F1A1 650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.65 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BD402 | BFR71 | 41501 | 40968 | MRF342 | MRF9411BLT3
History: BD402 | BFR71 | 41501 | 40968 | MRF342 | MRF9411BLT3



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor